Definició de transistor bipolar de porta aïllada

El transistor bipolar de porta aïllada (IGBT) és un dispositiu semiconductor de potència accionat per tensió-compost totalment controlat que combina els avantatges del MOSFET (transistor d'efecte de camp d'òxid-de {-metàl·lic-semiconductor-) i BJT (transistor d'unió bipolar).

 

Punts bàsics de definició
Composició de l'estructura: composta per les característiques d'alta impedància d'entrada i tensió{0}}d'un MOSFET combinades amb la baixa caiguda de tensió de conducció i la gran capacitat de transport de corrent d'un BJT.

Principi de funcionament: en aplicar tensió a la porta per controlar la formació del canal, proporciona corrent de base al transistor PNP, aconseguint l'activació-o apagada-.

Estructura del terminal: té tres terminals-Porta (G), col·lector (C) i emissor (E).

 

Avantatges principals:
Alta impedància d'entrada (com MOSFET, baixa potència de conducció)
Baixa caiguda de tensió de conducció (com BJT, baixa pèrdua de conducció)
Adequat per a aplicacions d'alta tensió, corrent alt i mitjana-alta freqüència